10 мая исполняется 120 лет со дня рождения Лосева Олега Владимировича – выдающегося советского радиофизика, изобретателя, одного из основоположников полупроводниковой электроники в России. Он является автором первых научных трудов, описывающих процессы, происходящие в поверхностных слоях полупроводника. Внес большой вклад в исследование электролюминесценции в твердых полупроводниках.
Благодаря физику Олегу Лосеву у СССР был шанс создать полупроводниковые технологии намного раньше, чем США. Анализ истории отечественной науки однозначно свидетельствует в пользу того, что при более удачном стечении обстоятельств Советский Союз мог бы опередить остальной мир в этом вопросе.
Лосев Олег Владимирович родился 10 мая 1903 года в городе Тверь. Уже в раннем возрасте у него проявлялась склонность к физике и технике. В 1917 году, будучи еще школьником, он попал на публичную лекцию начальника Тверской радиостанции В. М. Лещинского, посвященную достижениям в радиотехнике. Лекция произвела большое впечатление на юношу, и он еще сильнее увлекся радиотехникой.
После окончания Тверского реального училища в 1920 году он поступил на работу в Нижегородскую радиолабораторию, где его научным руководителем стал В. К. Лебединский. В это время Лосев занимался исследованием эффекта усиления электрического сигнала в полупроводниках и созданием первого в мире полупроводникового усилителя и генератора.
В 1922 году он открыл генерирование высокочастотных электрических колебаний кристаллическими детекторами, то есть изобрел «Кристадин» (образованное из сочетания КРИСТАлл+гетероДИН) – радиоприемник, в котором усиление принимаемых сигналов осуществлялось только за счет данного элемента. Это был подлинный триумф, популярные брошюры о кристадине расходились массовыми тиражами, а когда их перевели на английский и немецкий, Лосев получил широкое признание в Европе.
Французский журнал писал: «Научная слава ожидает Лосева. Он обнародовал свое открытие, думая прежде всего о своих друзьях – радиолюбителях всего мира».
В 1925–
В 1927 году обнаружил свечение генерирующего полупроводникового кристалла карборунда, так называемое «свечение Лосева».
Летом 1928 года был издан приказ, согласно которому Нижегородская радиолаборатория была передана Центральной радиолаборатории треста заводов слабого тока. В числе других сотрудников О. В. Лосев был переведен в Ленинград, где начал работу в Центральной радиолаборатории.
В 1937 году Лосев устроился на преподавательскую работу в 1-й Ленинградский медицинский институт им. академика И. П. Павлова, а через год, летом 1938 года, ученый совет Индустриального института присвоил ему ученую степень кандидата физико-математических наук. Его результаты исследований были опубликованы в журналах «Телеграфия и телефония без проводов», «Вестник Электротехники», «Доклады АН СССР», «ЖТФ» и ряде других периодических изданий.
Информация предоставлена КПЦ «
Фотография: через Викисклад, File: Oleg losev
30 декабря
С Новым годом и Рождеством! Поздравление ректора СПбГУТ
30 декабря
Доцент СПбГУТ приняла участие в форуме «ТехПред»
30 декабря
В СПбГУТ проходит «Факультативная школа»
30 декабря
Итоги заседания ученого совета
30 декабря
Новый год стирает границы
30 декабря
Школьники Ленобласти из «ФосАгро-класса» побывали в СПбГУТ
29 декабря
Мастерская Т2 в СПбГУТ открывает набор студентов
29 декабря
Студенты СПбГУТ разработали новогодние открытки в рамках учебного курса
28 декабря
Павел Васильевич Шмаков и его наследие
26 декабря
Студент СПбГУТ стал участником подкаста о гонках дронов
26 декабря
Специалисты и студенты СПбГУТ посетили ветеранов СВО в госпитале
26 декабря
Режим работы СПбГУТ в праздничные дни
25 декабря
Студенты СПбГУТ получили награды как победители чемпионата «Абилимпикс»
25 декабря
В Петербурге отметили день рождения Э. Т. Кренкеля
25 декабря
В СПбГУТ приняли новый коллективный договор
25 декабря
Поздравляем с защитой диссертации!
25 декабря
Поздравляем с защитой диссертации!