Вопрос/ответ EN
Вопрос/ответВопрос-ответ Вопрос/ответЧасто задаваемые вопросы Обращения граждан Телефонный справочник
+7 (800) 550-41-72 Телефон горячей линии
+7 (812) 326-31-63 Многоканальный телефон
Россия, 193232, Санкт-Петербург,
пр. Большевиков д.22, к.1
rector@sut.ru
НовостиРазное125 лет со дня рождения С. А. Векшинского

125 лет со дня рождения С. А. Векшинского

27 октября 2021

27 октября исполняется 125 лет со дня рождения академика Сергея Аркадьевича Векшинского. С его деятельностью связаны создание и производство практически всех видов отечественных электронных приборов в довоенный период. Он разработал свою технологию производства радиоламп, вытеснив с рынка страны компанию Philips. В послевоенные годы Сергей Аркадьевич занялся созданием новой вакуумной техники для самых различных областей – от космических и термоядерных исследований до технологических процессов пищевой промышленности.

Сергей Аркадьевич родился в Пскове 15 (27) октября 1896 года в семье чиновника канцелярии городского губернатора. Родители поощряли тягу Сергея к науке и поддерживали его первые научные эксперименты по химии и физике. По окончании гимназии Векшинский поступил в Санкт-Петербургский политехнический институт. Талантливый студент вскоре обратил на себя внимание выдающегося ученого - физика Абрама Федоровича Иоффе.

Когда началась Первая  мировая война, Векшинскому предложили на время прервать учебу и поехать в США в качестве приемщика поставляемых в Россию боеприпасов и порохов. Визит в Америку для 20-летнего студента был необычайно интересным и полезным. Однако осенью 1917-го настает черед страшных потрясений: революция, возвращение из США,  гражданская война, участие в боевых действиях, разруха.

В начале 1921 года Сергей Векшинский возвращается в Петроград в замечательный коллектив молодых физиков под руководством Иоффе. Среди них будущие нобелевские лауреаты  П. Л. Капица и Н. Н. Семенов, П. И. Лукирский, И. В. Обреимов , с которыми Сергей Аркадьевич сохранял дружеские отношения всю жизнь.

В мае 1922 года Векшинский, которому было всего 25 лет, становится главным инженером первого советского электровакуумного завода. Организовать производство в условиях послевоенной разрухи было очень непросто. Но, тем не менее, молодой главный инженер целиком отдается разработке новых приборов: приемно-усилительных и генераторных ламп, рентгеновских трубок и пр. Рядом с заводом – Центральная радиолаборатория, большое удовлетворение Векшинский получает от общения с замечательными учеными, например, Михаилом Александровичем Бонч-Бруевичем.

После слияния в 1928 году Электровакуумного завода с заводом «Светлана» Векшинский становится признанным лидером отечественной школы катодной электроники. Под его началом была заводская научная лаборатория, в которую входило 90 специалистов, и опытная мастерская, насчитывающая 200 человек. В ней разрабатывались и проходили испытания практически все электронные приборы широкого применения того времени. Когда на Западе появилась новинка фирмы Philips – радиолампы с бариевым катодом, Векшинский уверенно сказал: «Сделаем сами!». Спустя тысячи опытов, работе по 15 часов в сутки, к концу 1930 года был создан отечественный бариевый катод с ничуть не худшими параметрами. Векшинский его образно назвал «электронным сердцем» приемно-усилительной лампы.

В 1947 году он основал и на протяжении 27 лет руководил институтом, который позже был назван НИИ вакуумной техники им. С.А. Векшинского. О жизни, работе и научной деятельности академика можно прочитать в книге Борисова В.П. «Сергей Аркадьевич Векшинский» (2-е изд. М.:НПК «Интелвак», 2002).

 

125 лет со дня рождения С. А. Векшинского125 лет со дня рождения С. А. Векшинского125 лет со дня рождения С. А. Векшинского125 лет со дня рождения С. А. Векшинского

Материал предоставлен КПЦ «Музей СПбГУТ»

При использовании материалов ссылка на сайт обязательна.
12
Поделиться:
Другие новости
СПбГУТ – участник выставки, посвященной 500-летию освоения Северного морского пути 5 декабря СПбГУТ – участник выставки, посвященной 500-летию освоения Северного морского пути В СПбГУТ прошло пленарное заседание форума BAFO-2025 5 декабря В СПбГУТ прошло пленарное заседание форума BAFO-2025 «Пушкинская карта» переезжает в ВТБ 5 декабря «Пушкинская карта» переезжает в ВТБ СПбГУТ вошел в топ 15% лучших университетов мира 5 декабря СПбГУТ вошел в топ 15% лучших университетов мира В СПбГУТ стартует коммуникационный форум BAFO-2025 5 декабря В СПбГУТ стартует коммуникационный форум BAFO-2025 Супериконоскоп Тимофеева — Шмакова: технология, открывшая дорогу цветному телевидению 5 декабря Супериконоскоп Тимофеева — Шмакова: технология, открывшая дорогу цветному телевидению В библиотеке СПбГУТ открыта выставка о восстании декабристов 4 декабря В библиотеке СПбГУТ открыта выставка о восстании декабристов Опубликована программа конференции ПКМ 2025 4 декабря Опубликована программа конференции ПКМ 2025 Доценты СПбГУТ признаны лучшими в науке и педагогике 4 декабря Доценты СПбГУТ признаны лучшими в науке и педагогике Сто студентов СПбГУТ стали участниками Школы актива 4 декабря Сто студентов СПбГУТ стали участниками Школы актива Преподаватели СПбГУТ рассказали на радио о послевоенном устройстве мира 4 декабря Преподаватели СПбГУТ рассказали на радио о послевоенном устройстве мира Приглашаем на встречу с участниками Арктических экспедиций СПбГУТ! 4 декабря Приглашаем на встречу с участниками Арктических экспедиций СПбГУТ! Студенты СПбГУТ получили награды за победу в олимпиаде по экономике 4 декабря Студенты СПбГУТ получили награды за победу в олимпиаде по экономике Ректор СПбГУТ выступил на Конгрессе «РОССТУДСПОРТ» 3 декабря Ректор СПбГУТ выступил на Конгрессе «РОССТУДСПОРТ» Определены победители Первого чемпионата СПбГУТ по гонкам дронов 3 декабря Определены победители Первого чемпионата СПбГУТ по гонкам дронов 3 декабря СПбГУТ получил поздравление губернатора Ленобласти в честь Дня информатики в России СПбГУТ примет участие в праздновании 500-летия начала освоения Россией Севморпути 3 декабря СПбГУТ примет участие в праздновании 500-летия начала освоения Россией Севморпути В СПбГУТ прошла встреча со студентом-волонтером СВО 3 декабря В СПбГУТ прошла встреча со студентом-волонтером СВО СПбКТ может стать колледжем года. Поддержим! 3 декабря СПбКТ может стать колледжем года. Поддержим! Минцифры России наградило Почетной грамотой коллектив СПбГУТ 3 декабря Минцифры России наградило Почетной грамотой коллектив СПбГУТ