Сведения об образовательной организации

Сообщение

Фурсей Георгий Николаевич

 Д.ф.-м.н., профессор, Почетный профессор СПбГУТ им. проф. М.А. Бонч-Бруевича (протокол УС № 2 от 27 февраля  2014  года)

Вице-президент РАЕН (Российской Академии Естественных Наук), Председатель Санкт-Петербургского отделения РАЕН, Заслуженный деятель науки РФ, Президент международной Лиги Защиты Культуры, Почетный координатор Народного Собора.





Адрес: пр. Большевиков, д. 22, ауд. 309

Тел: (812) 305-12-59

Награды: 

  • Лауреат Государственной премии СССР (1978 г);
  • Диплом Государственного комитета СССР по делам  изобретений и открытий;
  • Почетная грамота Российской Академии наук Санкт-Петербургского научного центра;
  • Диплом Российской Академии Естественных наук на присуждение почетного звания и знака «Рыцарь науки и искусств»;  
  • Почетный доктор Сумского державного университета;
  • «Почетный работник высшего и среднего профессионального образования РФ»;
  • Медаль имени  П.Л. Капицы «Автору научного открытия»;
  • Медаль имени Н.К. Рериха «За заслуги в области экологии»;
  • Знак «Житель блокадного Ленинграда»;
  • Медаль «50 лет окончанию войны»;
  • Орден Дружбы;
  • Медаль им. Рентгена за выдающиеся успехи в рентгеновской технике и другие.

Научные интересы: 

исследования в области эмиссионной электроники, физики поверхности металлов, полупроводников, проводящей жидкости в сильных электрических полях, физики вакуумных разрядов.

Публикации:

  • Fursey G.N. Field emission in vacuum microelectronics. NY: Kluwer Academic—Plenum Publishers, 2005.
  • В 2012 г. опубликована монография Г.Н. Фурсей. “Автоэлектронная эмиссия”. Издательство «Лань», Санкт-Петербург, 2012. стр 1-319 и учебное пособие Л.Н. Савушкин, Г.Н.Фурсей. "Молекулярная физика и термодинамика", Учебное пособие, Издательство СПб ГУТ 51 с.

Автор более 250 научных статей, 7 монографий, 1 патента и 39 изобретений.

Проекты:

  • Выполнил исследования в области эмиссионной электроники, физики поверхности металлов, полупроводников, проводящей жидкости в сильных электрических полях, физики вакуумных разрядов. Обнаружил ряд новых фундаментальных закономерностей явления автоэлектронной эмиссии в условиях экстремально сильных полей и высоких плотностей тока и развил представления о механизме вакуумного пробоя и вакуумной дуги (1961-1963).
  • Открыл новое физическое явление взрывной электронной эмиссии (1966) и исследовал его.
  • Обнаружил и описал новые механизмы гидродинамической неустойчивости жидкой проводящей поверхности в сильном электрическом поле.
  • Выполнил эксперименты, позволившие создать адекватную теоретическую модель автоэлектронной эмиссии полупроводников (1970-1980). 
  • Подготовил 12 докторов и 26 кандидатов наук.


Родился 19.03.1933 в г. Архангельске. Окончил физический факультет Ленинградского государственного университета (1958). Д.ф.-м.н. (1973), профессор (1979). Вице-президент, председатель Санкт-Петербургского отделения РАЕН (1997). Заведующий кафедрой физики Санкт-Петербургского государственного университета телекоммуникаций (1975). Организатор и директор Центра электрофизических проблем поверхности (1979). Вице-президент Международной лиги защиты культуры. Вице-президент Санкт-Петербургского физического общества (1991). Член президиума Российского физического общества (1991). Член президиума Евразийского физического общества (1992). Председатель секции физики Санкт-Петербургского Дома ученых (1975). Член Совета РАН по проблеме «Физика низкотемпературной плазмы» (1980). Член редколлегии журнала «Journal of Micromechanics and Microelectronics (Institute of Physics Publishing)» (1996).

·       

Если вы заметили ошибку, сообщите нам
войти

Сообщение об ошибке на сайте









* Просьба использовать данную форму по назначению. Информацию по редактированию сайта университета
можно отправить по адресу umr@sut.ru

Авторизация

Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича – базовый отраслевой университет СПб, занимающий одно из лидирующих положений в рейтинге технических вузов не только города, но и России.

Ежегодно в вуз поступают более 3500 абитуриентов, желающих стать специалистами самой инновационной и стремительно развивающейся области – инфо- телекоммуникации и связи.

Система непрерывного образования, действующая в университете – от подготовительных курсов до специалитета, включая средне-профессиональное образование, бакалавриат и магистратуру, – позволяет будущим выпускникам СПбГУТ стать не только специалистами, владеющими всеми необходимыми знаниями и практическими навыками, людьми, обладающими умением подходить к решению задач системно, с помощью передовых методов и технологий. На военной кафедре вот уже более 80 лет осуществляется подготовка офицеров запаса.

Для тех, кто не прошел по конкурсу, и не сумел поступить на бюджет, предоставляется право получить образовательный кредит с государственным субсидированием.

Уровень материально-технической базы, оснащенность учебных корпусов и аудиторий самыми инновационными средствами и технологиями обучения позволяет университету по праву считаться лучшим вузом в Санкт-Петербурге.

Тем, кто еще не решил, куда поступать, рекомендуем остановить свой выбор на Санкт-Петербургском государственном университете телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, и можете быть уверены – именно здесь вам будет предоставлена возможность получить достойное образование, гарантирующее успешную карьеру и достойное будущее!